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射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置

更新時間:2010-12-24  |  點擊率:667

射頻磁控濺射鍍膜裝置/磁控濺射鍍膜裝置 型號;ZH21-HRM-1

可開設(shè)的實驗

1、掌握射頻磁控濺射法制膜的基本原理;

2、了解磁控濺射鍍膜儀的操作過程及使用范圍;

3、磁控濺射法制備金屬膜、半導(dǎo)體膜、化合物膜、介質(zhì)膜等薄膜。

主要參數(shù)

    1、濺射鍍膜室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;有效尺寸:Φ220×H230mm3;

    2、濺射鍍膜室本底真空:≤1Pa;濺射腔限真空:6×10-1Pa;

    3、濺射靶:Φ50mm,濺射靶臺和濺射靶可調(diào)距離:20~60mm;

    4、基片加熱溫度可控范圍:室溫~300℃;

5、射頻源率:500W,13.56MHz;

6、氣路系統(tǒng):由兩路轉(zhuǎn)子量計控制(可選配質(zhì)量量計);

    7、真空系統(tǒng):2XZ-4型旋片真空泵,抽氣速率:4L/S,單相220V交電源供電;

    8、對過過壓、斷路等異常情況行報警,并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施;

    9、供電電源:AC220V,50Hz,整機(jī)率2KW。

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